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1N6055ASX

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
1N6055ASX 技术参数
  • 1N6055A 功能描述:TVS DIODE 40VWM 64.8VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):40V 电压 - 击穿(最小值):44.7V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:64.8V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):23.2A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6055 功能描述:TVS DIODE 38VWM 67.8VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):38V 电压 - 击穿(最小值):42.3V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:67.8V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):22.2A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6054A 功能描述:TVS DIODE 36VWM 59.3VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):36V 电压 - 击穿(最小值):40.9V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:59.3V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):25.3A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6054 功能描述:TVS DIODE 34VWM 61.9VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):34V 电压 - 击穿(最小值):38.7V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:61.9V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):24A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6053A 功能描述:TVS DIODE 33VWM 53.9VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):33V 电压 - 击穿(最小值):37.1V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:53.9V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):28A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6060A 1N6061 1N6061A 1N6062 1N6062A 1N6063 1N6063A 1N6064 1N6064A 1N6065 1N6065A 1N6066 1N6066A 1N6067 1N6067A 1N6068 1N6068A 1N6069
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