1N6036ANJS

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制造商
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功能描述
1N6036A

1N6036ANJS 技术参数

1N6036A 功能描述:TVS DIODE 6VWM 11.3VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:6V 电压 - 击穿（最小值）:7.13V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:132A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6036 功能描述:TVS DIODE 5.5VWM 11.7VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5.5V 电压 - 击穿（最小值）:6.75V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.7V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:128A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6031UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6031UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6031D 功能描述:DIODE ZENER 200V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:200V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:2000 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6041A 1N6042 1N6042A 1N6043 1N6043A 1N6044 1N6044A 1N6045 1N6045A 1N6046 1N6046A 1N6047 1N6047A 1N6048 1N6048A 1N6049 1N6049A 1N6050