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说明
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1N5518DTR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
CENTRALSEMICONDUCTORCORP
ORIGINAL
最新批号
-
代理此型号，原装特价现货！

1N5518B
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
326
MSC
-
公司现货!只做原装!

1N5518A/TR
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/曹先生/高先生
电话：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
18537
Microchip Technology
DO-204AH, DO-35, Axi
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1N5518B (DO35)
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/周小姐/高先生
电话：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
20872
Microchip / Microsemi
DO-35-2
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1N5518DTR
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
CENTRAL SEMI
NULL
NULL
-
百分百原装正品，质量保障价格及优

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1

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
SCHOTTKY RECTIERS SILICON RECTIFIER DIODES

1N5518 技术参数

1N5420US 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5420 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5419US 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 500V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5419E3 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 500V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5419 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 500V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5521B 1N5521B (DO35) 1N5521BUR-1 1N5522B 1N5522B (DO35) 1N5522BUR-1 1N5523B-1 1N5523BUR-1 1N5524B 1N5524B (DO35) 1N5525B 1N5525B (DO35) 1N5525B-1 1N5526B (DO35) 1N5526BUR-1 1N5527B 1N5527B (DO35) 1N5527BUR-1

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