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1N4957US

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    地址:深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

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  • Microchip Technology

  • E-MELF

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  • 深圳市芯脉实业有限公司
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode Zener Single 9.1V 5% 5W 2-Pin E-MELF
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 9.1V 5% 5W 2PIN D-5B - Bulk
1N4957US 技术参数
  • 1N4957 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 6.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:* 标准包装:1 1N4956US 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 6.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 1N4956 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 6.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:* 标准包装:1 1N4955US 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 5.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 1N4955 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 5.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:* 标准包装:1 1N4962US 1N4963 1N4963US 1N4964 1N4964US 1N4965 1N4965US 1N4966 1N4966US 1N4967 1N4967US 1N4968 1N4968US 1N4969 1N4969US 1N4970 1N4970US 1N4971
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