1N2129AR

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说明
操作

1N2129AR
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
256
GeneSiC Semiconductor
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

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功能描述
整流器 100V 60A REV Leads Std. Recovery
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

1N2129AR 技术参数

1N2129A 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N2128AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 50V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N2128A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N2059 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 250A DO205AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 电流 - 平均整流（Io）:250A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 250A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:17mA @ 300V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AB，DO-9，接线柱供应商器件封装:DO-205AB，DO-9 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:10 1N1616R 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N2137AR 1N2138A 1N2138AR 1N270 1N2804A 1N2804B 1N2804RB 1N2805A 1N2805B 1N2805RB 1N2806A 1N2806B 1N2806RB 1N2807A 1N2807B 1N2807RB 1N2808A 1N2808B