STY16NA90

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STY16NA90
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
TO-247
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STY16NA90
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-247
25+
-
国产品牌，替代进口

STY16NA90
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
07/08+
-
假一罚十，百分百原装正品

1/1页 40条/页共14条
1

您是不是要找： STY30NK90Z STY34NB50 STY50N105DK5 STY60NK30Z STY60NM50 STY60NM60 STY80NM60N STZ5.6NT146 STZ6.2NFHT146

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
N - CHANNEL 900V - 0.5 ohm - 16A - Max247 EXTREMELY LOW GATE CHARGE POWER MOSFET

STY16NA90 技术参数

STY145N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 138A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:138A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 69A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:414nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:18500pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY140NS10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 140A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:140A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 70A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:600nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY139N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 130A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 65A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:363nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:15600pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY130NF20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 130A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 65A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:338nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11100pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY112N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 93A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:96A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 47A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:350nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:16870pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STZ6.2NT146 STZ6.8NT146 STZ6.8TT146 STZB-SK/RAIS STZC6.8NT146 STZD3155CT1G SU-1 SU-1/2 SU-1/4 SU-10 SU10000RT3U SU10000RT3U2TF SU10000RT3UG SU1000RTXL2U SU1000RTXL2UA SU1000RTXL2UN SU1000RTXLCD2U SU1000XLA