STW81100AT-1

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STW81100AT-1
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/周小姐/曹先生
电话：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
893816
STMicroelectronics
最新批次
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

STW81100AT-1
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
28-VFQFPN（5x5）
18+
-
IC SYNTHESIZER MULTI...

STW81100AT-1
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：谭玉丽
电话：19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
10001
STMicroelectronics
28-VFQFN，28-VFQFPN
12+
-
授权分销现货热卖

STW81100AT-1
深圳市讯顺达科技有限公司
深圳市讯顺达科技有限公司
联系人：卓小姐/蔡小姐/庄小姐
电话：0755-827272340755-23915567
地址：深圳市福田区华强北路1019号华强广场A座15KL
资质：营业执照
4200
STMicroelectronics
28-VFQFPN
23+
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全新原装欢迎询价下单

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功能描述
锁相环 - PLL MULTI BAND RF FREQ SYNTHESIZER
RoHS
否
制造商
Silicon Labs
类型
PLL Clock Multiplier
电路数量
1
最大输入频率
710 MHz
最小输入频率
0.002 MHz
输出频率范围
0.002 MHz to 808 MHz
电源电压-最大
3.63 V
电源电压-最小
1.71 V
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
封装 / 箱体
QFN-36
封装
Tray

STW81100AT-1 技术参数

STW80NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3850pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:600 STW80NE06-10 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:189nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7600pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW80H150C 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER 150V TO-247AD 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:910mV @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300μA @ 150V 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AD 标准包装:1 STW7NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW7N95K3 功能描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.35 欧姆 @ 3.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1031pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW82101BTR STW82102B STW82102BTR STW82103B STW82103BTR STW88N65M5 STW88N65M5-4 STW8B12C-AABL STW8C2SA-J19K24-EA STW8C2SA-J19K24-GA STW8C2SA-J19K24-HA STW8C2SA-J19K26-CA STW8C2SA-K21K26-BA STW8N90K5 STW8NB100 STW8NK80Z STW8Q14BE-S5-GT STW8Q14BE-S5T0-HA