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STV6130T10

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STV6130T10
深圳市源运电子商行
深圳市源运电子商行
联系人：林先生
电话：15913992480
地址：深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼
260
ST
16+
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STV6130T10 技术参数

STV-5700C-D02 功能描述:VC5700 - Image Sensor Sensor Evaluation Board 制造商:stmicroelectronics 系列:- 零件状态:过期传感器类型:图像传感器感应范围:- 接口:USB 灵敏度:- 电压 - 电源:- 嵌入式:否所含物品:板使用的 IC/零件:VC5700 标准包装:5 STV5348D 功能描述:等离子体驱动器 Teletext/VPS Decoder RoHS:否制造商:STMicroelectronics STV5348 功能描述:等离子体驱动器 Teletext/VPS Decoder RoHS:否制造商:STMicroelectronics STV300NH02L 功能描述:MOSFET N-CH 24V 280A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:24V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 毫欧 @ 80A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:109nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7055pF @ 15V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘供应商器件封装:10-PowerSO 标准包装:1 STV270N4F3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:270A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 毫欧 @ 80A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘供应商器件封装:10-PowerSO 标准包装:1 STV-676/502S-R01 STV-676-E01 STV-684-E02 STV8131 STV8163 STV8164 STV8206 STV8216 STV-974/552S-R01 STV-974/552S-R02 STV-H11-F/CO-G STVM100DC6F STVM100DS6F STW0101N STW0201N STW10N105K5 STW10N95K5 STW10NK60Z