配单专家企业名单

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说明
操作

STS2DNFS30L
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ST
SOP8
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

STS2DNFS30L
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
15393
ST
SOP8
21+
-
原装正品现货，支持BOM配单！

STS2DNFS30L
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
318
STM
SOP-8
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

STS2DNFS30L
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
SOP8
09+
-
假一罚十，百分百原装正品

STS2DNFS30L
深圳市讯顺达科技有限公司
深圳市讯顺达科技有限公司
联系人：卓小姐/蔡小姐/庄小姐
电话：0755-827272340755-23915567
地址：深圳市福田区华强北路1019号华强广场A座15KL
资质：营业执照
4200
ST
原厂封装
23+
-
全新原装欢迎询价下单

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您是不是要找： STS2DPF80 STS2DPFS20V STS-30-DIS STS30N3LLH6 STS-31-DIS STS3C2F100 STS3DNE60L STS3DPF60L STS3P6F6

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
N-CHANNEL 30V - 0.09ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER

STS2DNFS30L 技术参数

STS2DNF30L 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:121pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS26N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:26A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.4 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4040pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS25NH3LL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4450pF @ 25V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS25NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4450pF @ 25V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS21 功能描述:HIGH ACCURACY DIGITAL TEMP SENSO 制造商:sensirion ag 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:有效传感器类型:数字，本地检测温度 - 本地:-40°C ~ 125°C 检测温度 - 远程:- 输出类型:I2C 电压 - 电源:2.1 V ~ 3.6 V 分辨率:14 b 特性:睡眠模式精度 - 最高（最低）:±0.2°C 测试条件:25°C 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:6-TDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN（3x3）标准包装:1 STS4C3F60L STS4DNF30L STS4DNF60 STS4DNF60L STS4DNFS30 STS4DNFS30L STS4DPF20L STS4DPF30L STS4DPFS30L STS4NF100 STS5DNF20V STS5DNF60L STS5DP3LLH6 STS5DPF20L STS5N15F3 STS5N15F4 STS5NF60L STS5P3LLH6