STP75NF75-M

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STP75NF75-MOR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ST
TO220
最新批号
-
代理此型号.原装正品现货

STP75NF75-MOR
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
14600
ST
TO220
24+
-
原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

STP75NF75-MOR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
37940
ST
TO220
14+
-
全新原装现货

1/1页 40条/页共23条
1

您是不是要找： STP75NS04Z STP76NF75 STP77N6F6 STP78N75F4 STP78NF55-08 STP7LN80K5 STP7N105K5 STP7N52DK3 STP7N52K3

STP75NF75-M PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STP75NF75-M 技术参数

STP75NF75FP 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3700pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP75NF75 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3700pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP75NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 75A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3260pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP75N75F4 功能描述:MOSFET N CH 75V 78A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:78A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 39A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5015pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP75N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.9 毫欧 @ 37.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2030pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP7N60M2 STP7N65M2 STP7N80K5 STP7N90K5 STP7N95K3 STP7NB60 STP7NK30Z STP7NK40Z STP7NK40ZFP STP7NK80Z STP7NK80ZFP STP7NM50N STP7NM60N STP7NM80 STP80N10F7 STP80N20M5 STP80N6F6 STP80N70F6