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STP34NM60N MOS(场效应管)

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    STP34NM60N MOS(场效应管)

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  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 17338

  • ST/意法

  • TO-220

  • 22+

  • -
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STP34NM60N MOS(场效应管) PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STP34NM60N MOS(场效应管) 技术参数
  • STP34NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):29A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):105 毫欧 @ 14.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2722pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 STP34N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 14A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):62.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2700pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP33N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):140 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):41.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1790pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP33N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 26A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):26A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 13A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1781pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP33N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 24A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1870pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP36NF06L STP38N65M5 STP3HNK90Z STP3LN62K3 STP3LN80K5 STP3N150 STP3N62K3 STP3N80K5 STP3NB100 STP3NK100Z STP3NK50Z STP3NK60Z STP3NK60ZFP STP3NK80Z STP3NK90Z STP3NK90ZFP STP400N4F6 STP40N20
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