STP10810

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STP10810
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
ST
TO-220
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

STP10810
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
13740
ST
TO-220
24+
-
全新原装正品现货特价

STP10810
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
TO-220
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STP10810IC
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
8960
ST/意法
TO-220
24+
-
优势供应品质保障可开13点发票

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您是不是要找： STP10LN80K5 STP10N105K5 STP10N60M2 STP10N62K3 STP10N65K3 STP10N95K5 STP10NK50Z STP10NK60Z STP10NK60ZFP

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STP10810 技术参数

STP105N3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:42nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3100pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP100NF04 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.6 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5100pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP100N8F6 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5955pF @ 25V 功率 - 最大值:176W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP100N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.6 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1980pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP100N10F7 功能描述:MOSFET N CH 100V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:61nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4369pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP10NK70Z STP10NK70ZFP STP10NK80Z STP10NK80ZFP STP10NM50N STP10NM60N STP10NM60ND STP10NM65N STP10P6F6 STP110N10F7 STP110N55F6 STP110N7F6 STP110N8F6 STP110N8F7 STP11N52K3 STP11N60DM2 STP11N65M2 STP11N65M5