STN1NK60Z-TR

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说明
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STN1NK60Z-TR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ST
SOT-223
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

STN1NK60Z-TR
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
SOT-223
15+
-
原装正品，假一罚十

STN1NK60Z-TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
93800
ST原装
SOT-223
11+pbf
-
全新原装现货

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您是不是要找： STN1NK80Z STN2580 STN2NE10 STN2NE10L STN2NF10 STN3N40K3 STN3N45K3 STN3NF06 STN3NF06L

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STN1NK60Z-TR 技术参数

STN1NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 欧姆 @ 400mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:94pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN1NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:90pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN1NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:105pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN1N20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:206pF @ 25V 功率 - 最大值:2.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN1HNK60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:156pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN3P6F6 STN3PF06 STN4NF03L STN4NF06L STN4NF20L STN5PF02V STN690A STN715 STN724 STN749 STN790A STN817A STN83003 STN851 STN851-A STN878 STN888 STN9260