STL8N65M2全国供应商 STL8N65M2资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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STL8N65M2
现货
上海航霆电子技术有限公司
上海航霆电子技术有限公司
联系人：林生18701789587
电话：0755-8374259418701789587
地址：上海徐汇区漕溪路222号航天大厦16层
3000
STM
SOP
18+
-
全新原厂原装正品，只做原装，可开增票

STL8N65M2
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
3000
STM
PowerFLAT 5x6 HV
18+
-
原装现货，假一赔百,支持实单

STL8N65M2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STL8N65M2
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
18+
-
MOSFET N-CH 650V 5A ...

STL8N65M2
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

STL8N65M2
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
50
STM
ORIGONAL
16+
-
0.95934 USD,szpoweri...

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功能描述
MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV
制造商
stmicroelectronics
系列
*
零件状态
有效
标准包装
1

STL8N65M2 技术参数

STL8N10LF3 功能描述:MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL8N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2000pF @ 50V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（3.3x3.3）标准包装:1 STL8DN6LF6AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 9.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1340pF @ 25V 功率 - 最大值:55W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL8DN6LF3 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:668pF @ 25V 功率 - 最大值:65W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL8DN10LF3 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL90N3LLH6 STL90N6F7 STL92N10F7AG STL9N3LLH5 STL9N60M2 STL9N65M2 STL9P2UH7 STL9P3LLH6 STLA01PUR STLA02PUR STLC3055Q STLC3055QTR STLC3080 STLC3080TR STLC30R80 STLC5046 STLC5048 STLC5048TR

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