STL10N60M2

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STL10N60M2
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
QFN
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STL10N60M2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6006
ST/意法半导体
SMD/SMT
21+
-
原装正品现货可开增值税发票

STL10N60M2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STL10N60M2
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（5x6）
18+
-
MOSFET N-CH 600V 5.5...

STL10N60M2
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
15000
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? II Plus
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
660 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
13.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
400pF @ 100V
功率 - 最大值
48W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PowerFlat?（5x6）
标准包装
1

STL10N60M2 技术参数

STL10N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（3.3x3.3）标准包装:1 STL105NS3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:105A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.9 毫欧 @ 13.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1mA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2110pF @ 25V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL100NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A PWRFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4450pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（6x5）标准包装:3,000 STL100N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.1 欧姆 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3435pF @ 40V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL100N6LF6 功能描述:MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8900pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL11N6F7 STL120N2VH5 STL120N4F6AG STL120N4LF6AG STL120N8F7 STL-1-250-3-01 STL-1-250-8-01 STL128D STL128DFP STL128DNFP STL12HN65M2 STL12N3LLH5 STL12N60M2 STL12N65M2 STL12N65M5 STL12P6F6 STL130N6F7 STL130N8F7