STI5197-CBB

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STI5197-CBB
深圳市英科美电子有限公司
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ST/意法
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STI5197-CBB
深圳市深科创科技有限公司
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联系人：吴先生/吴小姐/朱先生
电话：0755-832472900755-828652018324751083223957
地址：深圳市福田区航都大厦17F1可提供13%增值税发票
7500
ST
BGA
2020+
-
全新原装现货渠道优势库存假一罚十

STI5197-CBB
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
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STI5197-CBB 技术参数

STI4N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:620V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:550pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STI45N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:45A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1640pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK（TO-262）标准包装:50 STI42N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4650pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STI40N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:99 毫欧 @ 16A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:56.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2355pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STI400N4F6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:377nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:20000pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK（TO-262）标准包装:50 STICE-SYS001 STIDMW830042112AAA STIDMW830082112AAA STIDMW830112112AAA STIDMW840042112AAA STIDMW840082112AAA STIDMW840112112AAA STIEC45-24ACS STIEC45-24AS STIEC45-26ACS STIEC45-26AS STIEC45-27AS STIEC45-28ACS STIEC45-28AS STIEC45-30ACS STIEC45-30AS STIEC45-33ACS STIEC45-33AS