STGB20V60DF

配单专家企业名单

型号
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封装
批号
价格
说明
操作

STGB20V60DF
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
D2PAK/TO-263
25+
-
国产品牌，替代进口

STGB20V60DF
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ST
TO-263
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STGB20V60DF
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6005
ST/意法半导体
D2PAK-3
21+
-
原装正品现货可开增值税发票

STGB20V60DF
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
D2PAK
18+
-
IGBT 600V 40A 167W D...

STGB20V60DF
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4970
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

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1

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功能描述
IGBT 600V 40A 167W D2PAK
制造商
stmicroelectronics
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
80A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2.2V @ 15V，20A
功率 - 最大值
167W
开关能量
200μJ（开），130μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
116nC
25°C 时 Td（开/关）值
38ns/149ns
测试条件
400V，20A，15V
反向恢复时间（trr）
40ns
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
1

STGB20V60DF 技术参数

STGB20NC60VT4 功能描述:IGBT 600V 60A 200W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:200W 开关能量:220μJ（开），330μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 测试条件:390V，20A，3.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB20NC60V 功能描述:IGBT 600V 60A 200W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:200W 开关能量:220μJ（开），330μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 测试条件:390V，20A，3.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB20NB41LZT4 功能描述:IGBT 442V 40A 200W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:442V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 4.5V，20A 功率 - 最大值:200W 开关能量:5mJ（开）， 12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1μs/12.1μs 测试条件:320V，20A，1 千欧，5V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB20NB37LZT4 功能描述:IGBT 425V 40A 200W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:425V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 4.5V，20A 功率 - 最大值:200W 开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3μs/2μs 测试条件:250V，20A，1 千欧，4.5V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB20NB32LZ 功能描述:IGBT 375V 40A 150W I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:375V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 4.5V，20A 功率 - 最大值:150W 开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3μs/11.5μs 测试条件:250V，20A，1 千欧，4.5V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1,000 STGB30V60F STGB35N35LZ-1 STGB35N35LZT4 STGB3HF60HD STGB3NB60FDT4 STGB3NB60KDT4 STGB3NB60SDT4 STGB3NC120HDT4 STGB40H65FB STGB40V60F STGB4M65DF2 STGB5H60DF STGB6M65DF2 STGB6NC60HD-1 STGB6NC60HDT4 STGB6NC60HT4 STGB7H60DF STGB7NB40LZT4