STE48NM60全国供应商 STE48NM60资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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价格
说明
操作

STE48NM60
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
ISOTOP，SOT-227
25+
-
国产品牌，替代进口

STE48NM60
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
ST
MODULE
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

STE48NM60
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
ST
原厂原装
23+
-
只做原装正品

STE48NM60
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
86530
ST
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

STE48NM60
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
ST
ISOTOP
05+
-
假一罚十，百分百原装正品

STE48NM60
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
ISOTOP?
18+
-
MOSFET N-CH 650V 48A...

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功能描述
MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP
RoHS
否
类别
半导体模块 >> FET
系列
MDmesh™
标准包装
10
系列
*

STE48NM60 技术参数

STE48NM50 功能描述:MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:550V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:48A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 24A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:117nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3700pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STE4700-10T3KI 功能描述:4700μF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 10V Axial 350 mOhm 0.406" Dia x 0.766" L (10.31mm x 19.46mm) 制造商:vishay sprague 系列:SuperTan? Extended STE 包装:散装零件状态:有效电容:4700μF 容差:±10% 电压 - 额定:10V ESR（等效串联电阻）:350 毫欧类型:密封工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.406" 直径 x 0.766" 长（10.31mm x 19.46mm）高度 - 安装（最大值）:- 引线间距:- 制造商尺寸代码:T3 特性:液态钽不同温度时的使用寿命:- 标准包装:1 STE45NK80ZD 功能描述:MOSFET N-CH 800V 45A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperFREDmesh? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:45A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:781nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:26000pF @ 25V 功率 - 最大值:600W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:100 STE40NK90ZD 功能描述:MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperFREDmesh? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:826nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:25000pF @ 25V 功率 - 最大值:600W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STE40NC60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:430nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11100pF @ 25V 功率 - 最大值:460W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STE88N65M5 STEF033APUR STEF033PUR STEF05DPUR STEF05LAJR STEF05LAPUR STEF05LJR STEF05LPUR STEF05PUR STEF05WPUR STEF12EPUR STEF12PUR STEF12WPUR STEF4SPUR STEPPER-MTR-RD STEVAL385LED4CH STEVAL-3DP001V1 STEVAL-BLUEMIC-1

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