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STB80N03L06

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STB80N03L06
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
SGS THOMSON
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假一罚十，百分百原装正品

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您是不是要找： STB80N20M5 STB80N4F6AG STB80NE03L-06T4 STB80NF03L-04-1 STB80NF03L-04T4 STB80NF10T4 STB80NF55-06-1 STB80NF55-06T4 STB80NF55-08-1

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STB80N03L06 技术参数

STB7NK80ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1138pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB7NK80Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1138pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STB7N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 6.2A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:525V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:980 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:737pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB7ANM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:363pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB76NF80 功能描述:MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3700pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB80NF55-08AG STB80NF55-08T4 STB80NF55L-06T4 STB80NF55L-08-1 STB80PF55T4 STB85NF3LLT4 STB85NF55LT4 STB85NF55T4 STB85NS04Z STB8N65M5 STB8N90K5 STB8NM60D STB8NM60N STB8NM60T4 STB95N3LLH6 STB95N4F3 STB9NK50ZT4 STB9NK60ZDT4