SIE882DF-T1-GE3

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封装
批号
价格
说明
操作

SIE882DF-T1-GE3
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
56303
Vishay / Siliconix
2025+
-

SIE882DF-T1-GE3
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
VISHAY SE
1521+
-
全新原装现货

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1

您是不是要找： SI-EPD006460EU SI-EPD006550KR SI-EPD006570WW SI-EPD006580EU SI-EPF006400WW SI-EPF006440WW SI-EPF006450WW SI-EPF006480EU SI-EPF006640WW

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功能描述
MOSFET 25V 229A 125W 1.4mohm @ 10V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

SIE882DF-T1-GE3 技术参数

SIDEGIG-GUITAREVM 功能描述:EVALUATION MODULE 制造商:texas instruments 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:在售标准包装:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售技术:磁耦合通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:- 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:90ns，81ns 电流 - 输出高，低:3.6A，4A 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:管件零件状态:在售技术:磁耦合通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:- 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:90ns，81ns 电流 - 输出高，低:3.6A，4A 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:48 SI-EPF006650WW SI-EPF006660WW SI-EPF007040WW SIF902EDZ-T1-E3 SIF912EDZ-T1-E3 SIFS-1 SIGFOX/LORA ANTENNA KIT SIGN17X22E SIGN17X22S SIHA11N80E-GE3 SIHA12N50E-E3 SIHA12N60E-E3 SIHA14N60E-E3 SIHA15N50E-E3 SIHA15N60E-E3 SIHA15N65E-GE3 SIHA17N80E-E3 SIHA18N60E-E3