SIE812DF-T1-E3全国供应商【买卖IC网】SIE812DF-T1-E3资料|PDF Datasheet|价格 Vishay

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

SIE812DF-T1-E3
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
36000
VISHAY
10-PolarPAK
15+
-
进口原装!现货供应,可开增值税发票

SIE812DF-T1-E3
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
VISHAY
原装
10+
-
全新原装100%正品保证质量

SIE812DF-T1-E3
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
VISHAY
原装
10+
-
全新原装100%正品保证质量

SIE812DF-T1-E3
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
15000
VISHAY
原装
10+
-
全新原装100%正品保证质量

SIE812DF-T1-E3
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
VISHAY SE
1521+
-
全新原装现货

1/1页 40条/页共19条
1

您是不是要找： SIE812DF-T1-GE3 SIE816DF-T1-E3 SIE816DF-T1-GE3 SIE818DF-T1-E3 SIE818DF-T1-GE3 SIE820DF-T1-E3 SIE820DF-T1-GE3 SIE822DF-T1-E3 SIE822DF-T1-GE3

SIE812DF-T1-E3 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SIE812DF-T1-E3 PDF下载

功能描述
MOSFET 40V 60A 125W 2.6mohm @ 10V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

SIE812DF-T1-E3 技术参数

SIDEGIG-GUITAREVM 功能描述:EVALUATION MODULE 制造商:texas instruments 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:在售标准包装:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售技术:磁耦合通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:- 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:90ns，81ns 电流 - 输出高，低:3.6A，4A 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:管件零件状态:在售技术:磁耦合通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:- 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:90ns，81ns 电流 - 输出高，低:3.6A，4A 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:48 SIE830DF-T1-E3 SIE830DF-T1-GE3 SIE832DF-T1-E3 SIE832DF-T1-GE3 SIE836DF-T1-E3 SIE836DF-T1-GE3 SIE844DF-T1-E3 SIE844DF-T1-GE3 SIE848DF-T1-E3 SIE848DF-T1-GE3 SIE854DF-T1-E3 SIE854DF-T1-GE3 SIE860DF-T1-E3 SIE860DF-T1-GE3 SIE862DF-T1-GE3 SIE864DF-T1-GE3 SIE868DF-T1-GE3 SIE874DF-T1-GE3

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

在采购SIE812DF-T1-E3进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

友情提醒：为规避购买SIE812DF-T1-E3产品风险，建议您在购买SIE812DF-T1-E3相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明：以上所展示的SIE812DF-T1-E3信息由会员自行提供，SIE812DF-T1-E3内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

SIE812DF-T1-E3

采购需求

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

我的联系方式