SD56120C

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说明
操作

SD56120C
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
M246
18+
-
FET RF 72V 860MHZ M2...

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功能描述
射频MOSFET电源晶体管 RF Power LDMOS Transistor
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶体管极性
频率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
输出功率
100 W
汲极/源极击穿电压
漏极连续电流
闸/源击穿电压
最大工作温度
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Tray

SD56120C 技术参数

SD56120 功能描述:FET RF 65V 860MHZ M246 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:860MHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:100W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:M246 供应商器件封装:M246 标准包装:20 SD5610-001 功能描述:DETECTR OPTOSCHMITT TO-46 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:- 零件状态:有效波长:935nm 类型:光电探测器 - 逻辑输出输出类型:开路集电极封装/外壳:TO-46-3 透镜顶部金属罐工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）标准包装:1 SD560CTR 功能描述:DIODE GEN PURP 60V 5A SMC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 5A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:550pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:SMC 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 SD560BTR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 5A SMB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 5A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:9μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB（DO-214AA）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 SD5600-001 功能描述:PHOTODETECTOR SCHMITT TO-46 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:- 零件状态:有效波长:935nm 类型:光电探测器 - 逻辑输出输出类型:开路集电极封装/外壳:TO-46-3 透镜顶部金属罐工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）标准包装:1 SD57045-01 SD57060 SD57060-01 SD57060-10 SD57120 S-D-5AS SD-60 SD600N25PC SD6020-100-R SD6020-101-R SD6020-120-R SD6020-150-R SD6020-180-R SD6020-220-R SD6020-270-R SD6020-2R2-R SD6020-330-R SD6020-390-R