零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.5 毫欧 @ 50A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 70 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4300 pF @ 20 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 3.8W(Ta),110W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |