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RU1E002SPTCL ROHM

朱小姐 | 1080 天前 16:09 | 阅读(121)
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-323-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 250 mA
Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: -
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 200 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 23 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6 ns
系列: RU1E002SP
3000
子类别:<

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