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晶体管 FDMS7694 半导体产品

唐小姐/王先生 | 2544 天前 11:59 | 阅读(133)
FDMS7694介绍：
描述 MOSFET N-CH 30V POWER56
制造商标准提前期 26 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 13.2A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） 8-PQFN（5x6）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包装    带卷（TR）  
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.2A（Ta），20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 9.5 毫欧 @ 13.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1410pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），27W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-PQFN（5x

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