IRF4905STRLPBF

品牌：IR

封装：TO263

FET 类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 42A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 180nC @ 10V Vgs（最大值） ±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 170W（Tc） 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

全新原装 正品现货 深圳市柏新电子科技有限公司 联系人：陈小姐 联系方式：0755-61352209/QQ2851099672/13926551329 地址：深圳市福田区中航路都会B座31G 欢迎来bom表配单 更多型号可随时联系我