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PMPB15XN

林小姐//方先生 | 2590 天前 14:44 | 阅读(93)
型号：PMPB15XN
品牌：NXP
封装：SDFN6
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 21 毫欧 @ 7.3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 20.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1240pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

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