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PMF170XP

林小姐//方先生 | 2590 天前 14:34 | 阅读(95)
型号：PMF170XP
品牌：NXP
封装：SOT323
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 200 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.15V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 3.9nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 290mW（Ta），1.67W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

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