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FDD2582

林小姐//方先生 | 2595 天前 13:54 | 阅读(256)
型号:FDD2582
品牌：FAIRCHIL 
封装：TO252 
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.7A（Ta），21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 66 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 25nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1295pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 95W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

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