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晶体管 IRFU5305PBF MOSFET - 单

唐小姐/王先生 | 2649 天前 16:30 | 阅读(149)
IRFU5305PBF介绍：
描述 MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 26 周
详细描述 通孔 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 65 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 63nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V

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