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晶体管 SI2369DS-T1-GE3 MOSFET

唐小姐/王先生 | 2664 天前 18:05 | 阅读(278)
SI2369DS-T1-GE3介绍：
描述 MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 22 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 30V 7.6A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） TO-236
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay SilIConix
系列 TrenchFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 29 毫欧 @ 5.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 36nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1295pF @ 15V
FET 功能

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