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晶体管 STH175N4F6-2AG MOSFET - 单

唐小姐/王先生 | 2669 天前 17:52 | 阅读(162)
STH175N4F6-2AG介绍：
描述 MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 38 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 150W（Tc） H2Pak-2
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMICroelectronics
系列 汽车级，AEC-Q101，STripFET? F6
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.4 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 130nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7735pF @ 20V
FE

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