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BSC109N10NS3 G BSC110N06NS3 G BSC118N10NSGATMA1 BSC120N03LS G场效应管【淘芯商城】

刘先生 | 3438 天前 14:57 | 阅读(30)
型号: BSC109N10NS3 G
类别: fet - 单
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
?湿气敏感性等级(MSL): 1(无限)
FET类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 100V
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 63A(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 10.9 毫欧 @ 46A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 45μA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg): 35nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss): 2500pF @ 50V
功率-最大值: 78W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8

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