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BSC190N15NS3 G BSC190N15NS3 G BSC196N10NSGATMA1效应管【淘芯商城】

刘先生 | 3438 天前 14:45 | 阅读(80)
型号: BSC190N12NS3 G
类别: fet - 单
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
?湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限）
FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 120V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8.6A（Ta），44A（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19 毫欧 @ 39A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 42μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 34nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2300pF @ 60V
功率-最大值: 69W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8

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