IXDI614SI

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功能描述
14A 8LEAD SOIC EXP MTL INVERTING
RoHS
是
类别
集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列
-
标准包装
5
系列
-
配置
低端
输入类型
非反相
延迟时间
600ns
电流 - 峰
12A
配置数
1
输出数
1
高端电压 - 最大（自引导启动）
-
电源电压
14.2 V ~ 15.8 V
工作温度
-20°C ~ 60°C
安装类型
通孔
封装/外壳
21-SIP 模块
供应商设备封装
模块
包装
散装
配用
BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
其它名称
835-1063

IXDI614SI 技术参数

IXDI614PI 功能描述:14A 8 PIN DIP INVERTING RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IXDI614CI 功能描述:14A 5 PIN TO-220 INVERTING RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 IXDI609YI 功能描述:IC GATE DVR 9A DUAL HS TO263-5 RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端，独立输入类型:非反相延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) IXDI609SITR 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IXDI609SIATR 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IXDN404PI IXDN404SI IXDN404SI-16 IXDN404SIA IXDN409CI IXDN409PI IXDN409SI IXDN409SIA IXDN409YI IXDN414CI IXDN414PI IXDN414SI IXDN414YI IXDN430CI IXDN430MCI IXDN430MYI IXDN430YI IXDN502D1