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IRFP422

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  • IRFP4227PBF
    IRFP4227PBF

    IRFP4227PBF

  • 深圳市瑞斯特电子科技有限公司
    深圳市瑞斯特电子科技有限公司

    联系人：杨锐锋

    电话：0755-8255091013189682405

    地址：深圳福田区华强广场二楼Q2B046

  • 1000

  • INFINEON/英飞凌

  • TO-247

  • 21+

  • -

  • 原装深圳现货

  • IRFP4229PBF
    IRFP4229PBF

    IRFP4229PBF

  • 深圳市高创鑫电子科技有限公司
    深圳市高创鑫电子科技有限公司

    联系人：曾小姐

    电话：0755-2330298015814019597

    地址：深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西10楼C052房间

    资质：营业执照

  • 4

  • Infineon

  • MOSFET N-CHANNEL 250

  • 21+

  • -

  • 原装正品，假1罚100

  • IRFP4227PBF
    IRFP4227PBF

    IRFP4227PBF

  • 科创特电子（香港）有限公司
    科创特电子（香港）有限公司

    联系人：柯

    电话：0755-83014603

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 400

  • INFINEON

  • 价格优势

  • 2431

  • -

  • 全新原装渠道现货

  • IRFP4227PBF
    IRFP4227PBF

    IRFP4227PBF

  • 深圳市品业电子有限公司
    深圳市品业电子有限公司

    联系人：李小姐

    电话：0755-23895664

    地址：华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55

  • 100

  • INFINEON

  • TO-247

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  • 只做原装正品 现货 价格优势 QQ咨询

  • IRFP4227PBF
    IRFP4227PBF

    IRFP4227PBF

  • 北京力通科信电子有限公司
    北京力通科信电子有限公司

    联系人：韩小姐

    电话：13661385246

    地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台

  • 200

  • INFINEON

  • SMD

  • 19+

  • -

  • 进口原装公司现货库存

  • IRFP4229PBF
    IRFP4229PBF

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  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人：胡庆伟

    电话：13138879988

    地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 60

  • INF

  • ORIGONAL

  • 16+

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IRFP422 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
IRFP422 技术参数
  • IRFP250 功能描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:85 毫欧 @ 16A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:158nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2850pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:850 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF820 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:315pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF740 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRFP440 IRFP440PBF IRFP4410ZPBF IRFP4468PBF IRFP448 IRFP448PBF IRFP450 IRFP450A IRFP450APBF IRFP450B IRFP450LC IRFP450LCPBF IRFP450NPBF IRFP450PBF IRFP4568PBF IRFP460 IRFP460_R4943 IRFP460A
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