VND7N04-1-E_代理商_批发/采购【买卖IC网】VND7N04-1-E

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

VND7N04-1-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ST
IPAKTO-251
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

VND7N04-1-E
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
20200
ST/意法
IPAKTO-251
22+
-

VND7N04-1-E
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
20000
ST
IPAK TO-251
2012+
-
只做原装正品。

VND7N04-1-E
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/周小姐/曹先生
电话：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
630597
STMicroelectronics
最新批次
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

VND7N04-1-E
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-621049316210489162104578
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
STMicroelectronics
标准封装
16+
-
假一罚十

VND7N04-1-E
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
I-Pak
18+
-
MOSFET OMNIFET 42V 7...

VND7N04-1-E
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
14000
ST
TO-251
11+
-
全新原装现货

VND7N04-1-E
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
I-Pak
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

VND7N04-1-E
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：谭玉丽
电话：19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
10001
STMicroelectronics
TO-251-3 长引线，IPak，TO
12+
-
授权分销现货热卖

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功能描述
MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

VND7N04-1-E 技术参数

VND7N0413TR 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VND7N04-1 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VND7N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VND7140AJTR-E 制造商:STMicroelectronics 功能描述:ABD VIPOWER - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSSO-16 VND7140AJTR 功能描述:IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSSO16 制造商:stmicroelectronics 系列:VIPower?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效开关类型:通用输出数:2 比率 - 输入:输出:1:1 输出配置:高端输出类型:N 通道接口:开/关电压 - 负载:4 V ~ 28 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要电流 - 输出（最大值）:8A 导通电阻（典型值）:140 毫欧输入类型:非反相特性:自动重启，状态标志故障保护:限流（固定），开路负载检测，超温，过压，UVLO 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）封装/外壳:16-PowerLFSOP（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PowerSSO-16 标准包装:1 VND81013TR VND810-E VND810MSP VND810MSP13TR VND810MSP-E VND810MSPTR-E VND810PEP-E VND810PEPTR-E VND810PTR-E VND810SP VND810SP13TR VND810SP-E VND810SPTR-E VND810TR-E VND830 VND83013TR VND830AEP-E VND830AEPTR-E

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