PMPB95ENEAX_代理商_批发/采购【买卖IC网】PMPB95ENEAX

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封装
批号
价格
说明
操作

PMPB95ENEAX
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT1220
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PMPB95ENEAX MOS(场效应管)
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
60000
NEXPERIA/安世
SOT1220
-
授权代理/原厂FAE技术支持

PMPB95ENEAX
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
367541
NEXPERIA
con
24+
-

PMPB95ENEAX
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
367541
NEXPERIA
con
24+
-

PMPB95ENEAX
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Nexperia
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PMPB95ENEAX
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10
资质：营业执照
5225
Nexperia
SMD
22+
-
授权分销商，可追溯原厂可含税

PMPB95ENEAX
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
367541
NEXPERIA
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

PMPB95ENEAX
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
PHA
SOT1220
15+
-
原装正品，价格优势！

PMPB95ENEAX
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
6-DFN2020MD（2x2）
18+
-
MOSFET N-CH 80V 2.8A...

PMPB95ENEAX
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
NEXPERIA
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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功能描述
MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
14.9nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
504pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta），15.6W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
105 毫欧 @ 2.8A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
6-DFN2020MD（2x2）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
标准包装
1

PMPB95ENEAX 技术参数

PMPB55ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:435pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:56 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB48EP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:860pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 4.7A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB47XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1365pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:58 毫欧 @ 4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB45EPAX 功能描述:MOSFET P-CH 40V 6A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:36nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1260pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:43 毫欧 @ 6A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB43XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:23.4nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:48 毫欧 @ 5A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMR100HZPFU5L00 PMR100HZPFU6L00 PMR100HZPFU7L00 PMR100HZPFU8L00 PMR100HZPFU9L00 PMR100HZPFV1L00 PMR100HZPFV1L50 PMR100HZPFV2L00 PMR100HZPFV3L00 PMR100HZPFV4L00 PMR100HZPJU10L PMR100HZPJU5L0 PMR100HZPJU6L0 PMR100HZPJU7L0 PMR100HZPJU8L0 PMR100HZPJU9L0 PMR100HZPJV10L PMR100HZPJV1L0

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