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PDTC114ET/FD

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 853240

  • NXPSemiconductorsBV

  • 原厂封装

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  • 一级代理,原装正品现货!!

  • PDTC114ET/FD
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 765000

  • 飞利浦

  • SOT23

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  • 全新原装现货

  • PDTC114ET/FD,215
    PDTC114ET/FD,215

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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    联系人:史仙雁

    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 2300

  • NXP

  • ROHS

  • 13+

  • -
  • 全新原装正品 欢迎来电0755-8286...

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PDTC114ET/FD 技术参数
  • PDTC114ET,235 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):10 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:PDTC114 标准包装:1 PDTC114ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):10 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:PDTC114 标准包装:1 PDTC114EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PDTB123YT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):10 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 标准包装:1 PDTB123ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):2.2 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 标准包装:1 PDTC114TT,235 PDTC114TU,115 PDTC114YE,115 PDTC114YE,135 PDTC114YEF,115 PDTC114YK,115 PDTC114YM,315 PDTC114YMB,315 PDTC114YQAZ PDTC114YS,126 PDTC114YT,215 PDTC114YTVL PDTC114YU,115 PDTC114YUF PDTC115EE,115 PDTC115EEF,115 PDTC115EK,115 PDTC115EM,315
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