GHM3045X7R332K-GC(GA355DR

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GHM3045X7R332K-GC(GA355DR 技术参数

GHIS080A120S-A2 功能描述:IGBT BUCK CHOP 1200V 160A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:160A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.6V @ 15V，80A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.3nF @ 30V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 GHIS080A120S-A1 功能描述:IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:160A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.6V @ 15V，80A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.3nF @ 30V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 GHIS080A060S-A2 功能描述:IGBT BUCK CHOP 600V 160A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:160A 功率 - 最大值:380W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，80A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.44nF @ 30V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 GHIS080A060S-A1 功能描述:IGBT BOOST CHOP 600V 160A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:160A 功率 - 最大值:380W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，80A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.44nF @ 30V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 GHIS080A060S1-E1 功能描述:SI IGBT / SIC SBD HYBRID MODULE 制造商:global power technologies group 系列:- 零件状态:新产品 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:160A 功率 - 最大值:380W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，80A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.44nF @ 30V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:* 封装/外壳:* 供应商器件封装:* 标准包装:10 GHN38000 GHN38033 GHN5R500 GHN5R531 GHOSTBRIDGE5 GHOSTBRIDGE-POE GHP11000 GHP16000 GHP23000 GHP23000R GHP38000 GHP5R500 GHR-02V-S GHR-03V-S GHR-04V-S GHR-05V-S GHR-06V-S GHR-07V-S