GBU808/GBU810/GBU608/GBU610

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GBU808/GBU810/GBU608/GBU610 技术参数

GBU806TB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 8A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:4-ESIP 供应商器件封装:GBU 标准包装:20 GBU806GTB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 8A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:4-ESIP 供应商器件封装:GBU 标准包装:20 GBU6J 功能描述:DIODE BRIDGE 600V 6A GBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - DC 正向（If）:6A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，GBU 供应商器件封装:GBU 标准包装:500 GBU6B 功能描述:DIODE BRIDGE 100V 6A GBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:100V 电流 - DC 正向（If）:6A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，GBU 供应商器件封装:GBU 标准包装:500 GBU610TB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:1kV 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:4-ESIP 供应商器件封装:GBU 标准包装:20 GBU8A-E3/45 GBU8A-E3/51 GBU8A-M3/45 GBU8A-M3/51 GBU8B GBU8B-BP GBU8B-E3/45 GBU8B-E3/51 GBU8B-M3/45 GBU8B-M3/51 GBU8D GBU8D-BP GBU8D-E3/45 GBU8D-E3/51 GBU8D-M3/45 GBU8D-M3/51 GBU8G GBU8G-BP