DM-HS1B-PBF

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

DM-HS1B-PBF
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
7577
SCM Micro System
QFP
701
-
绝对公司原装现货

DM-HS1B-PBF 110283LF
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
QFP
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

DM-HS1B-PBF
深圳市华金瑞电子有限公司
深圳市华金瑞电子有限公司
联系人：刘
电话：15323844149
地址：中航路华强电子世界三店佳和电子市场
6
SCM
QFP
02+
-
100%原装！优势现货库存

1/1页 40条/页共11条
1

您是不是要找： DMHT6016LFJ-13 DMJ2833-000 DMJ70H1D0SV3 DMJ70H1D3SH3 DMJ70H1D3SI3 DMJ70H1D3SJ3 DMJ70H1D4SV3 DMJ70H1D5SV3 DMJ70H600SH3

DM-HS1B-PBF PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

DM-HS1B-PBF 技术参数

DMHE001 功能描述:DSUB 9 METAL DIE CAST B/S 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 DMHA14R5V353M4ATA0 功能描述:SUPERCAPACITOR 制造商:murata electronics north america 系列:DMH 包装:托盘零件状态:在售电容:35mF 容差:±20% 电压 - 额定:4.5V ESR（等效串联电阻）:300 毫欧 @ 1kHz 不同温度时的使用寿命:- 端接:SMD（SMT）凸片安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD，扁平引线引线间距:- 大小/尺寸:0.787" 长 x 0.787" 宽（20.00mm x 20.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.016"（0.40mm）工作温度:-40°C ~ 85°C 标准包装:500 DMG8880LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 11.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1289pF @ 15V 功率 - 最大值:1.43W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 DMG4712SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 11.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2296pF @ 15V 功率 - 最大值:1.55W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 DMG4468LFG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.62A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 11.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18.85nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:867pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerUDFN 供应商器件封装:DFN3030-8 标准包装:1 DMJ70H601SK3-13 DMJ70H601SV3 DMJ70H900HJ3 DMJ7N70SK3-13 DMJT9435-13 DMKP075BG-180 DMKP125BG-180 DMKP187BG-180 DML1005LDS-7 DML1006LDS-7 DML1007LDS-7 DML1008LDS-7 DML1009LDS-13 DML1009LDS-7 DML10M8LDS-13 DML3006LFDS-7 DML3009LDC-7 DML-430A