CSD17402Q5A

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深圳市芯睿晨科技有限公司
深圳市芯睿晨科技有限公司
联系人：李小姐/肖先生
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地址：赛格广场69楼6900
资质：营业执照
13985
TI
原厂封装
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★假一赔十!绝对原装现货市场最低价！★

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深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
TEXAS
SON5X6
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一级代理.原装特价现货！

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深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
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TI
SO-8
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原装正品，现货库存。400-800-03...

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CSD17402Q5A 技术参数

CSD17382F4T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:64 毫欧 @ 500mA，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:347pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD17381F4T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:109 毫欧 @ 500mA，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.35nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:195pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD17381F4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:109 毫欧 @ 500mA，8A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.35nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:195pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD17327Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 65A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12.2 毫欧 @ 11A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:506pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD17322Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:87A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.8 毫欧 @ 14A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:695pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD17522Q5A CSD17527Q5A CSD17551Q3A CSD17551Q5A CSD17552Q3A CSD17552Q5A CSD17553Q5A CSD17555Q5A CSD17556Q5B CSD17556Q5BT CSD17559Q5 CSD17559Q5T CSD17570Q5B CSD17570Q5BT CSD17571Q2 CSD17573Q5B CSD17573Q5BT CSD17575Q3