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BF2520-B2R4CAAT/LF
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
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BF2520-B2R4CAAT/LF
深圳市华芯盛世科技有限公司
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联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
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原厂封装
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一级代理，原装正品现货！！

BF2520-B2R4CAAT/LF
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
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2520C
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原装现货/特价

BF2520-B2R4CAAT/LF
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
3685
ACX/璟德
SMD
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全新新货村田TDK太友数量均有多电话咨询

BF2520-B2R4CAAT/LF
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3031
ACX
2520C
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十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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BF2520-B2R4CAAT/LF 技术参数

BF247A_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 25V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:30mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 BF247A 功能描述:JFET N-Channel 25V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:30mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 BF246B_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 25V 60mA @ 15V 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:60mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 标准包装:2,000 BF246B 功能描述:JFET N-Channel 25V 60mA @ 15V 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:60mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 标准包装:2,000 BF246A_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 30V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:30mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 BF26214-20B BF26230-24B BF26240-24B BF26250-24B BF26285-20B BF26318-20B BF26360-20B BF26409-31B BF2661-24B BF2698-20B BF2930 BF2F BF2G BF2M-C BF2M-M BF2M-M0 BF-3 BF3/RC