APTM100A13SCG_代理商_批发/采购【买卖IC网】APTM100A13SCG

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说明
操作

APTM100A13SCG
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯专营优势产品

APTM100A13SCG
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
Microsemi
SP6
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

APTM100A13SCG
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
3
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APTM100A13SCG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
Microsemi
MOSFET
2010+
-
全新原装100%正品保证质量

APTM100A13SCG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
Microsemi
MOSFET
2010+
-
全新原装100%正品保证质量

APTM100A13SCG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APTM100A13SCG
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
100
MICROCHIP
NA
21+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

APTM100A13SCG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
TUBE
1521+
-
全新原装现货

APTM100A13SCG
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

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功能描述
PWR MODULE MOSFET 1000V 65A SP6
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTM100A13SCG 技术参数

APTM100A13DG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:156 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:562nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:15200pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM100A12STG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:68A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 34A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:616nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:17400pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTM08TDUM04PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:153nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4530pF @ 25V 功率 - 最大值:138W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTM08TAM04PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:153nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4530pF @ 25V 功率 - 最大值:138W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTLVTR 功能描述:Tactile Switch SPST-NO Side Actuated Surface Mount, Right Angle 制造商:apem inc. 系列:APTL 包装:带卷（TR）零件状态:有效电路:SPST-NO 开关功能:关-瞬时不同电压时的触头额定电流:0.05A @ 12VDC 致动器类型:矩形按钮安装类型:表面贴装，直角 PCB 外致动器高度（从引脚计算）:- 致动器方向:侧面触动端子类型:鸥翼型外形:4.70mm x 3.50mm 照明:不发光照明电压（标称值）:- 照明类型，颜色:- 作用力:220gf 侵入防护:- 特性:- 致动器材料:热塑塑胶开关行程:- 机械寿命:- 工作温度:-25°C ~ 70°C 标准包装:3,000 APTM100DA33T1G APTM100DA40T1G APTM100DAM90G APTM100DDA35T3G APTM100DSK35T3G APTM100DU18TG APTM100DUM90G APTM100H18FG APTM100H35FT3G APTM100H35FTG APTM100H45FT3G APTM100H45SCTG APTM100H45STG APTM100H46FT3G APTM100H80FT1G APTM100SK18TG APTM100SK33T1G APTM100SK40T1G

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