APT30SCD120S

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操作

APT30SCD120S
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
全新库存现货电话010-6210493...

APT30SCD120S
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
D3PAK，TO-268
25+
-
国产品牌，替代进口

APT30SCD120S
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
40
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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1

您是不是要找： APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC APT3216LSECK/J3-PRV APT3216LSECK/J4-PRV

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE DIODE

APT30SCD120S 技术参数

APT30SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 99A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:99A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 30A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:600μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:2100pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT30S20SG 功能描述:Diode Schottky 200V 45A Surface Mount D3 [S] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:45A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 供应商器件封装:D3 [S] 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:30 APT30S20BG 功能描述:Diode Schottky 200V 45A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:45A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 [B] 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT30S20BCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 45A Through Hole, Radial TO-247-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:45A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 200V 安装类型:通孔，径向封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30N60KC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:125 毫欧 @ 14.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 960μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:88nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2267pF @ 25V 功率 - 最大值:219W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT3216LSYCK/J3-PRV APT3216LVBC/D APT3216LZGCK APT3216MGC APT3216PBC/A APT3216QBC/D APT3216SECK APT3216SECK/J3-PRV APT3216SECK/J4-PRV APT3216SGC APT3216SRCPRV APT3216SURCK APT3216SYCK APT3216SYCK/J3-PRV APT3216VBC/D APT3216YC APT3216ZGC APT3216ZGCK