AO6601/F1XD

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AO6601/F1XD
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
AO/ALPHA&OMEGA
SOT-163SOT-23-6
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！！

AO6601/F1XD
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
600
ALPHA
SOT-163
2c040
-
全新原装现货

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AO6601/F1XD 技术参数

AO6601 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.4A，2.3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:285pF @ 15V 功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6424A 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:270pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:3,000 AO6424 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:31 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:310pF @ 15V 功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6420 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:540pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6415 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:620pF @ 10V 功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6801A AO6801E AO6802 AO6802L_001 AO6804 AO6804A AO6804A_101 AO6808 AO6808_101 AO6810 AO7400 AO7401 AO7403 AO7403_001 AO7404 AO7405 AO7407 AO7408