3N258_Q

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说明
操作

3N258_Q
深圳市引芯科技发展有限公司
深圳市引芯科技发展有限公司
联系人：销售部经理：林小姐
电话：0755-8334178913421397528
地址：深圳市福田区福华路世贸广场C座1106/香港办事处:香港大理石
256
Fairchild Semiconductor
标准封装
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功能描述
桥式整流器 800 2A BRIDGE
RoHS
否
制造商
Vishay
产品
Single Phase Bridge
峰值反向电压
1000 V
最大 RMS 反向电压
正向连续电流
4.5 A
最大浪涌电流
450 A
正向电压下降
1 V
最大反向漏泄电流
10 uA
功率耗散
最大工作温度
+ 150 C
长度
30.3 mm
宽度
4.1 mm
高度
20.3 mm
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SIP-4
封装
Tube

3N258_Q 技术参数

3N258 功能描述:RECTIFIER BRIDGE 800V 2A KBPM 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:800V 电流 - DC 正向（If）:2A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:30 3N257-M4/51 功能描述:RECT BRIDGE 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:托盘零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - DC 正向（If）:2A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:30 3N257-E4/72 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:停產二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 165°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:200 3N257-E4/51 功能描述:DIODE BRIDGE 2A 600V 4SIP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:托盘零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - DC 正向（If）:2A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:600 3N257-E4/45 功能描述:DIODE BRIDGE 2A 600V 4SIP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - DC 正向（If）:2A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，KBPM 供应商器件封装:KBPM 标准包装:30 3N261 3N261TX 3N262 3N262TX 3N263 3N263TX 3N304-A000-S08 BF 3N304-D000-S08 BF 3N9C 3NFP0C 3NFP9C 3OT1.3-26-F9 3OT1.3-46-F9 3P01-1002-DA 3P01-2002-DA 3P01-2002-ES 3P01-2002-G 3P0210000