2N6027.

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2N6027.
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
8000
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2N6027. 技术参数

2N6027 功能描述:PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 零件状态:在售电压:40V 功率耗散（最大值）:300mW 电压 - 输出:6V 电压 - 偏移（Vt）:1.6V 电流 - 栅极至阳极漏（Igao）:10nA 电流 - 谷值（Iv）:50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）标准包装:2,500 2N5963 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1200 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2N5962_D74Z 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:600 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5962_D26Z 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:600 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5962 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:600 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2N6028RLRMG 2N6028RLRP 2N6028RLRPG 2N6034 2N6034G 2N6035G 2N6036 2N6036G 2N6038 2N6038G 2N6039 2N6039G 2N6040 2N6040G 2N6041 2N6042 2N6042G 2N6043