1T33-T7-04

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1T33-T7-04
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3137
SONY
SOD123
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十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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1T33-T7-04 技术参数

1T2G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1T2G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1T2G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1T1G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1T1G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1T6G A0G 1T6G A1G 1T6G R0G 1T7G A0G 1T7G A1G 1T7G R0G 1TS03 1TS08 1TS09 1TS16 1TW 1U00 1U03 1U08 1U09 1U16 1UHD844124FTC 1UHD904118FTC